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第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的時代或?qū)⒂瓉?/span>

2020.02.21 20:22 碳化硅概念股

券商研報顯示,雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認(rèn)識到SiC和GaN相對于傳統(tǒng)Si材料的優(yōu)點,但是由于制造設(shè)備、制造工藝與成本的劣勢,多年來只是在小范圍內(nèi)得到應(yīng)用,無法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位,但是隨著5G 、汽車等新市場出現(xiàn),SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用加速。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等新興應(yīng)用有望擾動半導(dǎo)體競爭格局,半導(dǎo)體投資具有確定的長期投資價值,但是我國是半導(dǎo)體市場自給率較低,這也為我國半導(dǎo)體國產(chǎn)化提供了更多的機會,尤其是在貿(mào)易摩擦背景下,半導(dǎo)體國產(chǎn)替代需求日益堅定,而當(dāng)下火熱的科創(chuàng)浪潮也將成為半導(dǎo)體行業(yè)投資行情的核心驅(qū)動力。

目前碳化硅是發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,碳化硅半導(dǎo)體材料在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。目前導(dǎo)電型碳化硅襯底片材料主要應(yīng)用于新能源汽車、充電站、太陽能逆變器等領(lǐng)域;半絕緣型碳化硅襯底片則主要應(yīng)用于5G通訊基站、大功率相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域。

得碳化硅者得天下

華創(chuàng)證券認(rèn)為,“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料,綜合性能較硅材料可提升上千倍,被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”,是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。碳化硅材料實現(xiàn)量產(chǎn)后,將打破國外壟斷,推動國內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。

但從差距上看,我國在碳化硅領(lǐng)域還沒有形成完整的產(chǎn)業(yè),國內(nèi)市場上大部分碳化硅功率器件依賴進(jìn)口,形成國際大廠壟斷局面。

中泰證券認(rèn)為,雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認(rèn)識到SiC和GaN相對于傳統(tǒng)Si材料的優(yōu)點,但是由于制造設(shè)備、制造工藝與成本的劣勢,多年來只是在小范圍內(nèi)得到應(yīng)用,無法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位,但是隨著5G 、汽車等新市場出現(xiàn),SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用加速;隨著制備技術(shù)的進(jìn)步, SiC 與 GaN 器件與模塊在成本上已經(jīng)可以納入備選方案內(nèi),需求拉動疊加成本降低,SiC/GaN的時代即將迎來。

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